本公開涉及存儲器件及其校準方法。閃速存儲器是一種能夠電擦除并且重新編程的低成本高密度非易失性固態存儲介質。閃速存儲器包括按照nor邏輯門和nand邏輯門命名的nor閃速存儲器或nand閃速存儲器。nand閃速存儲器可以使其數據總線以雙倍數據速率(ddr)操作，從而在時鐘信號的上升沿和下降沿...

相關申請的交叉引用本申請要求于2020年3月23日提交的標題為“用于3dnand閃存的操作方法和3dnand閃存(operationmethodfor3dnandflashand3dnandflash)”的國際申請pct/cn2020/080636的優先權的權益，通過引用將該國際申請的全文并入本文...

本技術涉及存儲器設備的操作。半導體存儲器設備已經變得越來越普遍用于各種電子設備。例如，非易失性半導體存儲器用于蜂窩電話、數字相機、個人數字助理、移動計算設備、非移動計算設備以及其他設備。電荷存儲材料(諸如浮柵)或電荷俘獲材料可以用于此類存儲器設備中以存儲表示數據狀態的電荷。電荷俘獲材料可以...

相關申請的交叉引用本申請要求2019年6月26日提交的美國非臨時申請序列號16/453,268的優先權和權益。1.符合示例性實施方案的系統、裝置和方法涉及三維(3d)nand閃存存儲器的編程，并且更具體地涉及3dnand閃存存儲器設備的源極側編程。2.相關領域的描述3dnand閃存...

相關申請的交叉引用本申請要求2019年6月7日提交的美國非臨時申請序列第16/434436號的優先權和權益。本公開涉及存儲器系統，并且具體地講，涉及三維非易失性存儲器諸如nand的預測升壓。存儲器設備通常被提供為計算機或其他電子設備中的內部半導體集成電路。存在許多不同類型的存儲器，包括隨機...

交叉參考本專利申請案主張由皮奧(pio)在2019年12月12日申請的標題為“用于并發地存取多個存儲器單元的系統及技術(systemsandtechniquesforaccessingmultiplememorycellsconcurrently)”的第16/712,682號美國專利申請案及由皮奧...

交叉引用本專利申請要求瑞希特(richter)等人于2019年12月18日提交的名稱為“存儲器裝置低功率模式(memorydevicelowpowermode)”的第16/719,904號美國專利申請和瑞希特等人于2018年12月20日提交的名稱為“存儲器裝置低功率模式(memorydevicel...

交叉參考本專利申請案主張由卡里姆(karim)等人在2019年12月14日申請的標題為“用于存儲器裝置中的多電平信令的反饋(feedbackformulti-levelsignalinginamemorydevice)”的第16/220,755號美國專利申請案的優先權，所述美國專利申請案轉讓給其受...

交叉參考本專利申請案主張尤達諾夫(yudanov)等人的標題為“存儲器裝置中的多路復用信號開發(multiplexedsignaldevelopmentinamemorydevice)”且在2018年12月21日提出申請的第62/783,388號美國臨時專利申請案的優先權，所述臨時專利申請案轉讓給...

本公開總體上涉及媒體監測，并且更特別地，涉及使用起始相位調制進行加水印的設備和方法。諸如電視廣播的媒體可以利用水印來進行編碼，在檢測時，對水印進行解碼以識別呈現的媒體。附圖說明圖1是使用起始相位調制進行加水印的示例環境的框圖。圖2是根據本公開的教導的使用起始相位調制對水印進行編碼的圖1的示...

本發明涉及垂直磁記錄介質，詳細而言，涉及具備垂直磁記錄層和覆蓋垂直磁記錄層的帽層的垂直磁記錄介質。需要說明的是，在本申請中，帽層是指在垂直磁記錄介質中覆蓋垂直磁記錄層的層，是調整垂直磁記錄層的磁性晶粒之間的粒間交換耦合的程度的層?，F有的垂直磁記錄介質的垂直磁記錄層為顆粒層，為了將各磁性晶粒...

本公開涉及顯示，尤其涉及一種移位寄存器及其驅動方法、柵極驅動電路、顯示裝置。在像素驅動電路中，掃描晶體管與復位晶體管大部分時間都是關閉的，需要較低的漏電速度；開關晶體管和驅動晶體管大部分時間都是開啟的，需要較高的電荷遷移率。結合氧化物薄膜晶體管(英文：thinfilmtransis...

本發明涉及存儲系統控制器領域，具體是一種存儲器最佳讀電壓確定方法。過去十年間，非易失性存儲市場呈現爆發式增長。nand閃存存儲器憑借良好的抗震性能，高集成密度，低廉的市場價格及出色的可靠性表現等諸多優勢成為當今非易失性存儲領域主流的存儲媒介。nand閃存存儲器在消費市場的主要表現形式為：（...

本申請涉及半導體。具體地，本申請涉及三維存儲器領域。3dnand存儲器作為一種三維非易失性閃存，通過堆疊多層存儲器單元形成存儲串的陣列來增加單位面積的存儲密度，克服了二維(2d)存儲器件的限制。存儲串包括源極選擇晶體管，多個存儲串的源極選擇晶體管通過同一個源極線(例如，公共源極線)...

本發明屬于半導體，具體涉及一種抗單粒子加固的sram單元及sram器件。隨著半導體技術的發展，半導體存儲器也得到了飛快的發展，其由于具有存取速度快、存儲容量大、體積小等優點，以逐漸替代了過去的磁性存儲器。靜態隨機存儲器(sram)是半導體存儲器中一種，其具有靜止存取功能，不需要刷新...

本公開涉及微電子，尤其涉及一種自旋軌道矩器件及其操作方法、裝置?，F有技術中，可以應用于傳統數字計算機中的垂直磁各向異性的兩態非易失性自旋微納器件多用于確定性調控，以實現響應的存儲和邏輯等功能。其中，自旋軌道矩(spin-orbittorque，簡稱sot)器件相比其它非易失性器件，...

本申請涉及存儲裝置，更具體地，涉及存儲器、存儲器的數據讀取方法及存儲器系統。閃速存儲器是一種非易失性存儲器，其能夠在不加電的情況下保持所存儲的數據。相較于傳統硬盤，閃速存儲器具有更快的讀取速度、更低的功耗、更好的抗震性等優點，也因此被越來越多的應用。例如，閃速存儲器常被用到諸如個人計算機、...

本申請涉及智能設備，例如涉及一種音頻采集裝置和錄音設備。目前，市場現有的音頻采集裝置和錄音設備，其產品形態主要以錄音筆等形式出現，分為面向個人用戶提供服務的產品和面向商家、企業級或業務部門提供服務的產品。在實現本公開實施例的過程中，發現相關技術中至少存在如下問題：現有的音頻采集裝置...

本發明涉及半導體集成電路領域，尤其涉及一種存算一體數據讀取譯碼電路以及存算一體存儲器。存儲器(memory)是現代信息技術中用于保存信息的記憶設備，其主要功能是存儲程序和各種數據。在存儲器的可靠性中，存入數據和讀取數據過程中，為了對抗傳輸中的噪音和衰減以及人為干擾，使得經邏輯和存儲后的碼與...

本發明涉及集成電路，尤其涉及一種靈敏放大器。如今，半導體存儲器被廣泛應用在各種電子產品中，靈敏放大器作為半導體存儲器的一個重要組成部分，直接影響到半導體存儲器的讀寫速度。隨著增強現實(augmentedreality)、自動駕駛汽車(automatedvehicles)以及無人機(...